近日，我院杨旭昕副教授与毛宏颖副教授（共同通讯）合作在国际著名期刊Applied Surface Science（IF = 6.7，中科院大类一区）发表题为“Enhanced Field Emission Properties of CsPbBr₃ Films by Thermal Annealing and Surface Functionalization with Boron Nitride”的学术论文,论文第一作者为我院19级研究生周思含同学。采用双源共蒸发法在石墨衬底表面制备了CsPbBr₃多晶薄膜并系统研究真空热处理与BN表面功能化对其场发射性能的影响。如图1a-b所示，经过150 ^oC真空热处理后，FE器件的开启电场与场增强因子分别由4.0 V μm^-1和2060变为3.375 V μm^-1和2490； BN表面功能化能够进一步优化器件性能，开启电场与场增强因子分别为2.875 V μm^-1和2518。FE器件性能优化的原因包括真空热处理后电子发射尖端密度的增加（图1c-d）与BN表面功能化导致的CsPbBr₃的N型掺杂（图1e-f）。我们的研究结果表明经过真空热处理及BN表面功能化后，CsPbBr₃薄膜具有与传统场发射材料相似甚至更优异的场发射性能。

图1. CsPbBr₃薄膜150 ^oC热处理前后及BN表面功能化后（a）J - E曲线，（b）开启电场、场增强因子变化规律；（c）和（d）150 ^oC热处理前后CsPbBr₃薄膜AFM图片；CsPbBr₃薄膜（d）Pb 4f和（e）Br 3d XPS能谱。

附论文：杨旭昕、毛宏颖 （ylzzcom永利总站）Applied Surface Science ------Enhanced Field Emission Properties of CsPbBr3 Films by Thermal Annealing and Surface Functionalization with Boron Nitride